Un tipo di memoria dinamica ad accesso casuale sviluppato dalla società americana MoSys e prodotto in seconda sorgente da Siemens. Consiste nel riunire in un singolo chip diversi minibanchi indipendenti di RAM dinamica (DRAM) senza superare la capacità massima di 750 KByte ciascuno, così da combinare la velocità dell'accesso sincrono a una maggiore granularità (ci sono più banchi a cui si può accedere individualmente e parallelamente sullo stesso chip), due prerogative molto utili nella grafica. La velocità di trasferimento prevista per questo genere di memoria è di 660 MByte al secondo e il costo sarà di poco superiore a quello delle DRAM convenzionali, ma sicuramente inferiore alle VRAM.
|
|