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memoria ad accesso casuale con flusso in uscita maggiorato
(Extended Data Out Random Access Memory)
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Una forma di memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM) che accelera l'accesso a posizioni di memoria consecutive in due modi. 1) si parte dall'assunzione che l'accesso successivo sarà indirizzato a una cella che si trova nella stessa riga di transistor a cui era indirizzato l'accesso precedente (la RAM è composta di celle a transistor, suddivise per righe e per colonne). 2) si conservano i dati in uscita così che possano ancora essere letti anche se nel frattempo il computer sta modificando il contenuto di una locazione di memoria adiacente. Questa particolare architettura accelera l'accesso alla memoria tipicamente del 5% in presenza di cache oppure del 30-50% in assenza di cache di secondo livello, senza aumentare significativamente il costo del chip di RAM. La DRAM di tipo EDO (Extended Data Out) perfeziona il funzionamento della FPM permettendo di accedere alla successiva colonna mentre il computer sta ancora prelevando dalla memoria il dato appena letto nella colonna precedente. La tecnica consiste nell'alterare il funzionamento interno di una DRAM modificando una connessione interna verso il buffer di output. In sostanza le informazioni vengono mantenute disponibili per la CPU anche quando il successivo ciclo di accesso è già iniziato. L'EDO DRAM è stata introdotta nei comuni pc circa un anno e mezzo fa ed è diventata da allora la scelta privilegiata di molti produttori visto che costituisce una semplice ed economica evoluzione della memoria FPM. L'EDO DRAM funziona in modo simile alla FPM DRAM: viene attivata una riga di memoria e poi viene attivata la colonna. Ma quando si trova il pezzo d'informazione, invece di disattivare la colonna e spegnere il buffer di output (come avviene nella FPM DRAM), la memoria EDO mantiene acceso il buffer dei dati in uscita finchè inizia l'accesso alla colonna seguente oppure il ciclo di lettura successivo (il segnale di accessibilità dei dati in uscita dura più a lungo, vale a dire viene esteso , da cui il nome di questa particolare versione di DRAM). Mantenendo acceso il buffer più a lungo, si acquista una maggiore flessibilità nella temporizzazione della scheda madre; inoltre, potendo abilitare immediatemente il successivo ciclo di lettura, si eliminano o si riducono gli stati d'attesa e si velocizzano i trasferimenti burst (a raffica).La EDO DRAM permette idealmente un ciclo di lettura burst più veloce della FPM DRAM: 6-2-2-2 contro 6-3-3-3.
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