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metallo ossido semiconduttore con accoppiamento complementare
(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
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Un tipo di tecnologia elettronica per la produzione di transistor e di celle logiche su silicio che sfrutta l'abbinamento fra tre strati di materiale diverso: silicio alla base, ossido di silicio nello strato isolante immediatamente superiore e metallo sullo strato più esterno dove si trovano le connessioni elettriche verso gli altri componenti o verso gli altri transistor contenuti nello stesso chip. Questa tecnologia ha il vantaggio di assorbire pochissima corrente e perciò di poter essere alimentata per periodi molto lunghi da una sorgente elettrica di piccola capacità. La si usa in tutti gli orologi elettronici, nelle calcolatrici tascabili, nei computer come memoria permanente aggiornabile e in molte altre apparecchiature. Soffre di due svantaggi: è relativamente lenta e viene facilmente danneggiata dalle scariche elettrostatiche anche di piccola entità (comprese quelle prodotte dal corpo umano che accumula carica attraverso lo sfregamento dei vestiti o delle scarpe sulla moquette e poi la scarica sul chip CMOS che teniamo tra le dita). L'aggettivo "complementare" deriva dal fatto che, in questo genete di circuiti, i transtitor MOS vengono collegati a coppie in un modo che entrambi contribuiscono a mantenere stabile lo stato binario dell'altro (aperto o chiuso) con il minimo consumo di energia.
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